Распродажа! Транзистор 2Т837Б (КТ837Б), КТ837И, КТ819Г | Let Know. Бесплатная доска объявлений. Украина, Киев

Информация:

Цена: 20 грн.
+38 098 ХХХХ +38 098 1203618 +38 095 21 21 726 показать

Распродажа! Транзистор 2Т837Б (КТ837Б), КТ837И, КТ819Г

№492406

Регион: Киев

Дата: 11.03.18 в 11:08

Описание:

2Т837Б - 4 шт

Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 2,5 г.



Основные технические характеристики транзистора КТ837Б :

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом



КТ837И - 1 шт

Транзисторы КТ837И кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.

Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 2,5 г.

Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).

Технические условия: аА0.336.403 ТУ.



Основные технические характеристики транзистора КТ837И:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом



КТ819Г - 2 шт



Структура n-p-n

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В

Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(15000) мА

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1.5(60) Вт

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим

Дополнительная информация:

Scroll
Runtime Site: 1.106262 s.